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海盜船復(fù)仇者LED DDR4-3466 8GBx4內(nèi)存評測

發(fā)布時間：2016-09-13

前言

我們在Computex上看到的海盜船復(fù)仇者新款LED燈條，分為紅光和白光兩款，這段時間已經(jīng)開始陸續(xù)出貨了，這個系列的產(chǎn)品跨度非常大，在Computex上看到最高有到4333的頻率，目前出貨的頻率在2666-3466之間。這次我們拿到的是紅色版本的最高頻DDR4-3466的產(chǎn)品，容量為8GBx4套裝。

1. (1)

基本規(guī)格：

內(nèi)存類型：DDR4臺式機內(nèi)存

容量：8GBx4=32GB

速度：DDR4-3466 16-18-18-36(PC4-27700)

電壓：1.35v

顆粒：Samsung K4A4G085WE(4Gb E die)

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品外包裝盒是復(fù)仇者系列一貫風格，黃黑色調(diào)為主。

1. (2)

背面條碼上印有產(chǎn)品序列號及型號。

1. (3)

內(nèi)存為黑色散熱片，和之前的復(fù)仇者一個風格，散熱片用了較細的磨砂工藝，頂部因為加上了LED而相對老款復(fù)仇者做出些許改動。

1. (4)

正面有復(fù)仇者LED的標識，紅色燈光版本的LED三個字是紅的，白色燈光的則是白的。頂部的LED燈光使用白色塑料柔光罩制造均勻的燈光效果，與此同時也把內(nèi)存最大高度抬高了約1cm，需要注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

1. (5)

背面印有型號規(guī)格，型號為CMU32GX4M4C3466C16R，規(guī)格為DDR4-3466 16-18-18-36，電壓1.35v，Ver 4.24可以判斷是三星顆粒。

1. (6)

雙面的顆粒，所以可以判斷顆粒為E Die。但同時也意味著3466的頻率在Skylake平臺上已經(jīng)到頂了。

1. (7)

10層PCB的設(shè)計，對于高頻DDR4來說是必須的。

1. (8)

上機效果圖：燈光是呼吸的，且不同步，這種燈光從宇帷的DDR3 Core燈條開始，我們已經(jīng)見過很多了。但海盜船在Computex上展示了一個可調(diào)復(fù)仇者LED燈光的軟件半成品，目前還未發(fā)布。

1. (9)

Samsung K4A4G085WE顆粒簡評

三星顆粒編碼的第四第五位表示容量，最后一位表示顆粒的Revision，所以K4A4G085WE顆粒我們稱之為4Gb E Die，單顆容量為512MB。目前DDR4顆粒單顆512MB市場上，三星基本上已經(jīng)沒有D Die了，以E Die為主，吃電壓至2V以上，頻率可以輕松達到DDR4-4000甚至更高，在2V時可有4000C12的表現(xiàn);Hynix基本過渡到AFR顆粒，及單顆8Gb的MFR，基本單面日常穩(wěn)定頻率在3466-3600，雙面3333，極限可達3866以上，時序表現(xiàn)也不如三星，所以越來越多的高端超頻內(nèi)存逐漸拋棄HY而轉(zhuǎn)向三星;美光新顆粒不斷推出，但在Skylake平臺上基本沒什么超頻性能，單面的3000左右就到頭，市場上標2666及以下的中低端內(nèi)存，多采用美光顆粒。

三星4Gb E Die的特性是給電壓就能收CL值，相比4Gb D Die、8Gb B Die都更容易上高頻，極品體質(zhì)的在空冷下高頻可以達到DDR4-4300以上，TRFC可保持在300以下。除在上高頻時TRCD/TRP表現(xiàn)不如8Gb B Die之外，E Die可以說各方面表現(xiàn)都很優(yōu)秀，高頻成功開機概率也大于B Die，中上體質(zhì)的E Die在1.9-2V電壓下可運行DDR4-4000 CL12-20-20。E Die單面4GBx2的模組普遍受到超頻跑分玩家歡迎，即使是插滿四條也能在1.6v或更低電壓下輕松跑DDR4-4000CL15左右日常使用，應(yīng)該是DDR4 512MB最好的顆粒。

然而我們這套內(nèi)存是雙面的顆粒，在Skylake平臺上最多只能跑到3466的頻率，這套內(nèi)存默頻已經(jīng)達到3466，相信沒有更多的超頻空間了，只能在時序優(yōu)化上做文章。

測試平臺及XMP信息

測試平臺：

CPU：Intel Core i7-6700K

主板：ASUS Maximus VIII Extreme

內(nèi)存：Corsair CMU32GX4M4C3466C16R

顯卡：MSI GT730

硬盤：LiteOn T9 PCEVA Edition 800GB

散熱器：Corsair H105

電源：Enermax Revolution 85+ 1050W

CPU-Z及MEM-Z識別內(nèi)存XMP信息：

1. (10)

加壓至1.75v，在保持3466頻率的基礎(chǔ)上時序可以優(yōu)化到CL12，發(fā)揮三星E Die的水平。

1. (11)

穩(wěn)定性及發(fā)熱量測試

在室溫26度裸機條件下，內(nèi)存電壓1.45v，VSA電壓1.1v、VCCIO電壓1.1v的設(shè)定下，插滿四根內(nèi)存在3466頻率的基礎(chǔ)上可以進一步優(yōu)化至C14-17-17-36的時序，并通過memtest測試。

1. (12)

用熱成像儀掃描滿載時內(nèi)存運行的溫度，最熱處出現(xiàn)在中間兩條內(nèi)存，為52.2度，內(nèi)存供電為55.4度，均處于正常水平。

1. (13)

效能測試

我們選取該內(nèi)存的四套設(shè)置：默認的DDR4-2133 8GBx4、XMP 3466C16、手動優(yōu)化的3466C14和大幅加壓后達到的3466C12來跑測試，另外加入三星B Die單、雙面和Hynix 4Gb AFR雙面的一些數(shù)據(jù)對比。

下圖中，紅框內(nèi)的三組為本次我們評測的這套內(nèi)存的數(shù)據(jù)，第二組三星B Die單面3200C14來自G.Skill F4-3200C14D-16GTZ的XMP設(shè)置，第三組HY AFR 3333C15雙面來自Kingston Savage 3000C15超頻后的設(shè)置，第四組雙面三星B Die 3466來自Corsair白金統(tǒng)治者16GBx4取兩條，最后一組則來自Corsair復(fù)仇者LPX DDR4-3866的XMP。

AIDA64內(nèi)存帶寬測試，默認狀態(tài)DDR4-2133下讀寫速度大概在33GB/s，復(fù)制31GB/s，開啟XMP后有了近50%的提升，通過我們手動優(yōu)化后進一步提升的空間并不大，說明這套內(nèi)存的XMP表現(xiàn)已經(jīng)很好。

1. (14)

內(nèi)存延遲方面，開啟XMP后由58ns下降至45ns，進一步優(yōu)化后可以下探到40ns。

1. (15)

3DMark 11物理分，頻率、延遲、rank數(shù)(命中率)都會對分數(shù)造成影響，雙面內(nèi)存插滿跑該測試比單面兩根的表現(xiàn)要好很多，開啟XMP后比默認提高了10%以上，進一步優(yōu)化后還能再提升三百分，甚至超過了3866頻率的表現(xiàn)。

1. (16)

WinRAR內(nèi)存頻寬測試，同樣插滿四條雙面優(yōu)勢較大，在3466頻率時序優(yōu)化后，跑出了超過15000KB/s的速度，這比許多高頻XMP內(nèi)存的表現(xiàn)都要好。

1. (17)

SuperPi 32M測試，雙面四根內(nèi)存同樣有一定優(yōu)勢，開啟XMP后就直接跑進7分以內(nèi)，進一步優(yōu)化后還有4秒左右的提升。

1. (18)

總結(jié)

海盜船這次推出新的復(fù)仇者LED系列DDR4-3466內(nèi)存，不僅在外觀上有了提升，而且XMP優(yōu)化得也比之前我們測過的許多內(nèi)存都要好，真正實現(xiàn)了讓用戶開啟XMP無需多加設(shè)置就可以獲得接近當前頻率最高的內(nèi)存性能，考慮到它是一套32GB的內(nèi)存，也可以說是容量和速度都有了。雖然這套內(nèi)存是采用雙面顆粒，在Skylake平臺上頻率3466就已經(jīng)見頂，但時序還有進一步優(yōu)化的空間，在1.45v電壓下就可以輕松跑到CL14-17-17，TRFC從451大幅收到280，加壓至1.75v跑CL12也可以跑跑測試玩，發(fā)揮了三星E Die應(yīng)有的水平。

1. (19)

目前這套內(nèi)存在海盜船美國官網(wǎng)報價250美元，折合人民幣約1670元。國內(nèi)未見有賣，但京東上有復(fù)仇者LED 3200 8GBx2及3000的16GBx2套裝，其中3200套裝的時序同樣是16-18-18-36，3000的時序是15-17-17，價格分別在799元和1599元，如果只是喜歡這套內(nèi)存的燈光效果，對性能沒有太高要求，也可以待復(fù)仇者LED產(chǎn)品線逐步上市后，考慮購買最低頻2666的套裝，相信還會更加便宜。

PCEVA綜合評價：定位場景娛樂。

基礎(chǔ)性能：4分。這套內(nèi)存已經(jīng)達到了雙面顆粒在Skylake平臺能跑的最高頻率DDR4-3466，且XMP優(yōu)化得較好，基本發(fā)揮了該頻率下的最佳效能。

做工用料：5分。全新的復(fù)仇者散熱片采用磨砂工藝提升了質(zhì)感，頂部的燈光效果也很均勻，插滿四根時效果甚佳。

超頻潛力：2分。由于使用雙面顆粒在Skylake平臺上無法再繼續(xù)超頻，但顆粒還是有潛力的，只能期待Intel在后續(xù)的平臺上改進。與此同時，時序可以從C16收到C14，加壓后甚至可以達到C12，發(fā)揮了三星E die的特性。

發(fā)熱量：4分。加壓到1.45V、插滿四條下滿載運行時溫度在52度，雖然超出了我們設(shè)定的50度扣分的標準，但依然處于不錯的表現(xiàn)水平。

兼容性：4分。內(nèi)存散熱片高于標準內(nèi)存，在使用最靠近CPU的內(nèi)存插槽時需注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

1. (20)

前言

我們在Computex上看到的海盜船復(fù)仇者新款LED燈條，分為紅光和白光兩款，這段時間已經(jīng)開始陸續(xù)出貨了，這個系列的產(chǎn)品跨度非常大，在Computex上看到最高有到4333的頻率，目前出貨的頻率在2666-3466之間。這次我們拿到的是紅色版本的最高頻DDR4-3466的產(chǎn)品，容量為8GBx4套裝。

1. (1)

基本規(guī)格：

內(nèi)存類型：DDR4臺式機內(nèi)存

容量：8GBx4=32GB

速度：DDR4-3466 16-18-18-36(PC4-27700)

電壓：1.35v

顆粒：Samsung K4A4G085WE(4Gb E die)

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品外包裝盒是復(fù)仇者系列一貫風格，黃黑色調(diào)為主。

1. (2)

背面條碼上印有產(chǎn)品序列號及型號。

1. (3)

內(nèi)存為黑色散熱片，和之前的復(fù)仇者一個風格，散熱片用了較細的磨砂工藝，頂部因為加上了LED而相對老款復(fù)仇者做出些許改動。

1. (4)

正面有復(fù)仇者LED的標識，紅色燈光版本的LED三個字是紅的，白色燈光的則是白的。頂部的LED燈光使用白色塑料柔光罩制造均勻的燈光效果，與此同時也把內(nèi)存最大高度抬高了約1cm，需要注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

1. (5)

背面印有型號規(guī)格，型號為CMU32GX4M4C3466C16R，規(guī)格為DDR4-3466 16-18-18-36，電壓1.35v，Ver 4.24可以判斷是三星顆粒。

1. (6)

雙面的顆粒，所以可以判斷顆粒為E Die。但同時也意味著3466的頻率在Skylake平臺上已經(jīng)到頂了。

1. (7)

10層PCB的設(shè)計，對于高頻DDR4來說是必須的。

1. (8)

上機效果圖：燈光是呼吸的，且不同步，這種燈光從宇帷的DDR3 Core燈條開始，我們已經(jīng)見過很多了。但海盜船在Computex上展示了一個可調(diào)復(fù)仇者LED燈光的軟件半成品，目前還未發(fā)布。

1. (9)

Samsung K4A4G085WE顆粒簡評

三星顆粒編碼的第四第五位表示容量，最后一位表示顆粒的Revision，所以K4A4G085WE顆粒我們稱之為4Gb E Die，單顆容量為512MB。目前DDR4顆粒單顆512MB市場上，三星基本上已經(jīng)沒有D Die了，以E Die為主，吃電壓至2V以上，頻率可以輕松達到DDR4-4000甚至更高，在2V時可有4000C12的表現(xiàn);Hynix基本過渡到AFR顆粒，及單顆8Gb的MFR，基本單面日常穩(wěn)定頻率在3466-3600，雙面3333，極限可達3866以上，時序表現(xiàn)也不如三星，所以越來越多的高端超頻內(nèi)存逐漸拋棄HY而轉(zhuǎn)向三星;美光新顆粒不斷推出，但在Skylake平臺上基本沒什么超頻性能，單面的3000左右就到頭，市場上標2666及以下的中低端內(nèi)存，多采用美光顆粒。

三星4Gb E Die的特性是給電壓就能收CL值，相比4Gb D Die、8Gb B Die都更容易上高頻，極品體質(zhì)的在空冷下高頻可以達到DDR4-4300以上，TRFC可保持在300以下。除在上高頻時TRCD/TRP表現(xiàn)不如8Gb B Die之外，E Die可以說各方面表現(xiàn)都很優(yōu)秀，高頻成功開機概率也大于B Die，中上體質(zhì)的E Die在1.9-2V電壓下可運行DDR4-4000 CL12-20-20。E Die單面4GBx2的模組普遍受到超頻跑分玩家歡迎，即使是插滿四條也能在1.6v或更低電壓下輕松跑DDR4-4000CL15左右日常使用，應(yīng)該是DDR4 512MB最好的顆粒。

然而我們這套內(nèi)存是雙面的顆粒，在Skylake平臺上最多只能跑到3466的頻率，這套內(nèi)存默頻已經(jīng)達到3466，相信沒有更多的超頻空間了，只能在時序優(yōu)化上做文章。

測試平臺及XMP信息

測試平臺：

CPU：Intel Core i7-6700K

主板：ASUS Maximus VIII Extreme

內(nèi)存：Corsair CMU32GX4M4C3466C16R

顯卡：MSI GT730

硬盤：LiteOn T9 PCEVA Edition 800GB

散熱器：Corsair H105

電源：Enermax Revolution 85+ 1050W

CPU-Z及MEM-Z識別內(nèi)存XMP信息：

1. (10)

加壓至1.75v，在保持3466頻率的基礎(chǔ)上時序可以優(yōu)化到CL12，發(fā)揮三星E Die的水平。

1. (11)

穩(wěn)定性及發(fā)熱量測試

在室溫26度裸機條件下，內(nèi)存電壓1.45v，VSA電壓1.1v、VCCIO電壓1.1v的設(shè)定下，插滿四根內(nèi)存在3466頻率的基礎(chǔ)上可以進一步優(yōu)化至C14-17-17-36的時序，并通過memtest測試。

1. (12)

用熱成像儀掃描滿載時內(nèi)存運行的溫度，最熱處出現(xiàn)在中間兩條內(nèi)存，為52.2度，內(nèi)存供電為55.4度，均處于正常水平。

1. (13)

效能測試

我們選取該內(nèi)存的四套設(shè)置：默認的DDR4-2133 8GBx4、XMP 3466C16、手動優(yōu)化的3466C14和大幅加壓后達到的3466C12來跑測試，另外加入三星B Die單、雙面和Hynix 4Gb AFR雙面的一些數(shù)據(jù)對比。

下圖中，紅框內(nèi)的三組為本次我們評測的這套內(nèi)存的數(shù)據(jù)，第二組三星B Die單面3200C14來自G.Skill F4-3200C14D-16GTZ的XMP設(shè)置，第三組HY AFR 3333C15雙面來自Kingston Savage 3000C15超頻后的設(shè)置，第四組雙面三星B Die 3466來自Corsair白金統(tǒng)治者16GBx4取兩條，最后一組則來自Corsair復(fù)仇者LPX DDR4-3866的XMP。

AIDA64內(nèi)存帶寬測試，默認狀態(tài)DDR4-2133下讀寫速度大概在33GB/s，復(fù)制31GB/s，開啟XMP后有了近50%的提升，通過我們手動優(yōu)化后進一步提升的空間并不大，說明這套內(nèi)存的XMP表現(xiàn)已經(jīng)很好。

1. (14)

內(nèi)存延遲方面，開啟XMP后由58ns下降至45ns，進一步優(yōu)化后可以下探到40ns。

1. (15)

3DMark 11物理分，頻率、延遲、rank數(shù)(命中率)都會對分數(shù)造成影響，雙面內(nèi)存插滿跑該測試比單面兩根的表現(xiàn)要好很多，開啟XMP后比默認提高了10%以上，進一步優(yōu)化后還能再提升三百分，甚至超過了3866頻率的表現(xiàn)。

1. (16)

WinRAR內(nèi)存頻寬測試，同樣插滿四條雙面優(yōu)勢較大，在3466頻率時序優(yōu)化后，跑出了超過15000KB/s的速度，這比許多高頻XMP內(nèi)存的表現(xiàn)都要好。

1. (17)

SuperPi 32M測試，雙面四根內(nèi)存同樣有一定優(yōu)勢，開啟XMP后就直接跑進7分以內(nèi)，進一步優(yōu)化后還有4秒左右的提升。

1. (18)

總結(jié)

海盜船這次推出新的復(fù)仇者LED系列DDR4-3466內(nèi)存，不僅在外觀上有了提升，而且XMP優(yōu)化得也比之前我們測過的許多內(nèi)存都要好，真正實現(xiàn)了讓用戶開啟XMP無需多加設(shè)置就可以獲得接近當前頻率最高的內(nèi)存性能，考慮到它是一套32GB的內(nèi)存，也可以說是容量和速度都有了。雖然這套內(nèi)存是采用雙面顆粒，在Skylake平臺上頻率3466就已經(jīng)見頂，但時序還有進一步優(yōu)化的空間，在1.45v電壓下就可以輕松跑到CL14-17-17，TRFC從451大幅收到280，加壓至1.75v跑CL12也可以跑跑測試玩，發(fā)揮了三星E Die應(yīng)有的水平。

1. (19)

目前這套內(nèi)存在海盜船美國官網(wǎng)報價250美元，折合人民幣約1670元。國內(nèi)未見有賣，但京東上有復(fù)仇者LED 3200 8GBx2及3000的16GBx2套裝，其中3200套裝的時序同樣是16-18-18-36，3000的時序是15-17-17，價格分別在799元和1599元，如果只是喜歡這套內(nèi)存的燈光效果，對性能沒有太高要求，也可以待復(fù)仇者LED產(chǎn)品線逐步上市后，考慮購買最低頻2666的套裝，相信還會更加便宜。

PCEVA綜合評價：定位場景娛樂。

基礎(chǔ)性能：4分。這套內(nèi)存已經(jīng)達到了雙面顆粒在Skylake平臺能跑的最高頻率DDR4-3466，且XMP優(yōu)化得較好，基本發(fā)揮了該頻率下的最佳效能。

做工用料：5分。全新的復(fù)仇者散熱片采用磨砂工藝提升了質(zhì)感，頂部的燈光效果也很均勻，插滿四根時效果甚佳。

超頻潛力：2分。由于使用雙面顆粒在Skylake平臺上無法再繼續(xù)超頻，但顆粒還是有潛力的，只能期待Intel在后續(xù)的平臺上改進。與此同時，時序可以從C16收到C14，加壓后甚至可以達到C12，發(fā)揮了三星E die的特性。

發(fā)熱量：4分。加壓到1.45V、插滿四條下滿載運行時溫度在52度，雖然超出了我們設(shè)定的50度扣分的標準，但依然處于不錯的表現(xiàn)水平。

兼容性：4分。內(nèi)存散熱片高于標準內(nèi)存，在使用最靠近CPU的內(nèi)存插槽時需注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

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